جهش بزرگ در فناوری حافظه‌های پرسرعت؛ از HBM4 تا HBM6!

توسعه استانداردهای جدید حافظه‌های HBM5 و HBM6 به‌صورت رسمی آغاز شد. این نسل‌های جدید حافظه قرار است با استفاده از تجهیزات تازه‌ای به نام Wide TC Bonder وارد مرحله تولید صنعتی شوند و جهش بزرگی در فناوری حافظه‌های پرسرعت ایجاد کنند. تا انتهای خبر با ویکوگیم همراه باشید.

معرفی نخستین Wide TC Bonder توسط شرکت Hanmi برای HBM5 و HBM6

شرکت نیمه‌هادی کره‌ای Hanmi اولین نمونه از دستگاه‌های Wide TC Bonder را معرفی کرده است که به‌طور اختصاصی برای تولید حافظه‌های نسل بعدی HBM5 و HBM6 طراحی شده‌اند. در حالی که انویدیا و AMD امسال شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی جدید خود را با حافظه HBM4 معرفی می‌کنند، صنعت هوش مصنوعی با سرعتی بسیار بالا در حال حرکت است و توسعه HBM5 و HBM6 نیز هم‌زمان آغاز شد. این شتاب‌دهنده‌ها شامل پلتفرم‌های Vera Rubin از انویدیا و Instinct MI450 از AMD خواهند بود.

رونمایی رسمی تجهیزات Wide TC Bonder در Semicon 2026 کره

طبق گزارش رسانه کره‌ای Heraldcorp، نخستین دستگاه‌های Wide TC Bonder قرار است در نمایشگاه Semicon 2026 کره جنوبی رونمایی شوند. این تجهیزات به‌عنوان جایگزینی برای Hybrid Bonder طراحی شده‌اند و قرار است در تولید انبوه حافظه‌های HBM مورد استفاده قرار بگیرند. Hybrid Bonder به دلیل مشکلات فنی با تأخیرهای جدی روبه‌رو بود، اما Wide TC Bonder بدون این محدودیت‌ها آماده ورود به خطوط تولید است.

مزایای فنی Wide TC Bonder در تولید حافظه‌های HBM

Wide TC Bonder می‌تواند بازده تولید حافظه‌های HBM را افزایش دهد و کیفیت نهایی محصولات را بهبود ببخشد. این فناوری برای نسل‌های فعلی و آینده مانند HBM4، HBM4E، HBM5 و HBM6 قابل استفاده است. استفاده از فناوری‌های پیشرفته اتصال دقیق باعث افزایش یکپارچگی ساختاری و کاهش نقص‌های تولیدی می‌شود.

فناوری اتصال بدون فلاکس و کاهش ضخامت ماژول‌ها

یکی از ویژگی‌های مهم Wide TC Bonder، فناوری اتصال بدون فلاکس یا Fluxless Bonding است. این فناوری لایه اکسید سطح تراشه را بدون استفاده از فلاکس کاهش می‌دهد. در نتیجه استحکام اتصال افزایش پیدا می‌کند و ضخامت کلی پکیج حافظه‌های HBM کمتر می‌شود. این موضوع برای سیستم‌های پرقدرت هوش مصنوعی اهمیت زیادی دارد.

معرفی نخستین Wide TC Bonder توسط شرکت Hanmi برای HBM5 و HBM6

شرکت نیمه‌هادی کره‌ای Hanmi اولین نمونه از دستگاه‌های Wide TC Bonder را معرفی کرده است که به‌طور اختصاصی برای تولید حافظه‌های نسل بعدی HBM5 و HBM6 طراحی شده‌اند. در حالی که انویدیا و AMD امسال شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی جدید خود را با حافظه HBM4 معرفی می‌کنند، صنعت هوش مصنوعی با سرعتی بسیار بالا در حال حرکت است و توسعه HBM5 و HBM6 نیز هم‌زمان آغاز شد این شتاب‌دهنده‌ها شامل پلتفرم‌های Vera Rubin از انویدیا و Instinct MI450 از AMD خواهند بود.

رونمایی رسمی تجهیزات Wide TC Bonder در Semicon 2026 کره

طبق گزارش رسانه کره‌ای Heraldcorp، نخستین دستگاه‌های Wide TC Bonder قرار است در نمایشگاه Semicon 2026 کره جنوبی رونمایی شوند. این تجهیزات به‌عنوان جایگزینی برای Hybrid Bonder طراحی شده‌اند و قرار است در تولید انبوه حافظه‌های HBM مورد استفاده قرار بگیرند. Hybrid Bonder به دلیل مشکلات فنی با تأخیرهای جدی روبه‌رو شده بود، اما Wide TC Bonder بدون این محدودیت‌ها آماده ورود به خطوط تولید است.

مزایای فنی Wide TC Bonder در تولید حافظه‌های HBM

فناوری اتصال بدون فلاکس و کاهش ضخامت ماژول‌ها

HBM5؛ هدف‌گذاری برای معماری NVIDIA Feynman و عرضه در سال ۲۰۲۹

حافظه HBM5 نرخ انتقال داده ۸ گیگابیت‌برثانیه را حفظ می‌کند، اما تعداد مسیرهای ورودی‌وخروجی به ۴۰۹۶ بیت افزایش پیدا می‌کند. پهنای باند هر استک به ۴ ترابایت‌برثانیه می‌رسد و ساختار پایه آن شامل ۱۶ لایه حافظه خواهد بود. هر استک با استفاده از تراشه‌های ۴۰ گیگابیتی DRAM به ظرفیت ۸۰ گیگابایت می‌رسد. توان مصرفی هر استک نیز حدود ۱۰۰ وات برآورد می‌شود. این استاندارد برای معماری‌های آینده انویدیا مانند Feynman و همچنین پلتفرم‌های Instinct MI500 از AMD طراحی شده است و زمان عرضه تجاری آن حوالی سال ۲۰۲۹ پیش‌بینی می‌شود.

جهش بزرگ در فناوری حافظه‌های پرسرعت؛ از HBM4 تا HBM6!

مشخصات فنی حافظه HBM5

HBM5 دارای نرخ داده ۸ گیگابیت‌برثانیه است. تعداد I/O برابر با ۴۰۹۶ مسیر خواهد بود. پهنای باند کل به ۴ ترابایت‌برثانیه می‌رسد. ساختار ۱۶ لایه‌ای به‌عنوان استاندارد پایه در نظر گرفته شده است. ظرفیت هر تراشه ۴۰ گیگابیت و ظرفیت هر ماژول HBM برابر با ۸۰ گیگابایت خواهد بود. توان مصرفی هر ماژول حدود ۱۰۰ وات است. روش بسته‌بندی Microbump و MR-MUF خواهد بود. سیستم خنک‌سازی شامل Immersion Cooling، Thermal Via و Thermal Bonding است. همچنین استفاده از چیپ خازن‌های مجزا، Base Die اختصاصی با فناوری 3D NMC-HBM و کش استک‌شده، و ترکیب LPDDR و CXL در لایه پایه پیش‌بینی شده است.

HBM6؛ نسل بعد از معماری Feynman با توان بالا و ظرفیت‌های عظیم

HBM6 جهش بزرگ‌تری نسبت به HBM5 خواهد داشت. پهنای باند به ۸ ترابایت‌برثانیه می‌رسد و ظرفیت هر تراشه DRAM به ۴۸ گیگابیت افزایش پیدا می‌کند. برای نخستین‌بار تعداد لایه‌های حافظه از ۱۶ فراتر می‌رود و به ۲۰ لایه می‌رسد. این ساختار باعث افزایش ظرفیت هر استک به ۹۶ تا ۱۲۰ گیگابایت می‌شود. توان مصرفی هر استک نیز به حدود ۱۲۰ وات می‌رسد. HBM6 به‌طور کامل بر خنک‌سازی غوطه‌وری یا Immersion Cooling متکی خواهد بود و از معماری‌های پیشرفته اینترپوزر فعال و هیبریدی استفاده می‌کند.

ویژگی‌های فنی حافظه HBM6

HBM6 دارای نرخ داده ۱۶ گیگابیت‌برثانیه است. تعداد مسیرهای I/O برابر با ۴۰۹۶ خواهد بود. پهنای باند کل به ۸ ترابایت‌برثانیه می‌رسد. تعداد لایه‌ها بین ۱۶ تا ۲۰ لایه متغیر است. ظرفیت هر تراشه ۴۸ گیگابیت و ظرفیت هر استک بین ۹۶ تا ۱۲۰ گیگابایت خواهد بود. توان مصرفی هر ماژول حدود ۱۲۰ وات است. روش بسته‌بندی مبتنی بر اتصال مستقیم مس به مس بدون بامپ خواهد بود. سیستم خنک‌سازی به‌صورت کامل Immersion Cooling است. استفاده از HBMهای چندبرجی، اینترپوزر فعال و هیبریدی سیلیکون و شیشه، سوییچ شبکه داخلی، Bridge Die و TSV نامتقارن نیز در فاز تحقیق و توسعه این استاندارد قرار دارند.

جهش بزرگ در فناوری حافظه‌های پرسرعت؛ از HBM4 تا HBM6!

جمع‌بندی وضعیت فعلی نسل‌های HBM

در حال حاضر HBM4 آماده ورود به تولید انبوه کامل در سال جاری است. هم‌زمان توسعه HBM5 و HBM6 نیز در جریان قرار دارد. این دو استاندارد جدید نسبت به HBM4 افزایش سرعت، ظرفیت و به‌روزرسانی‌های فناورانه قابل‌توجهی خواهند داشت. با توجه به سرعت رشد صنعت هوش مصنوعی، حافظه‌های HBM5 و HBM6 نقش کلیدی در نسل بعدی پردازنده‌های گرافیکی و شتاب‌دهنده‌های محاسباتی ایفا خواهند کرد و سطح جدیدی از کارایی و توان پردازشی را تعریف می‌کنند.

اشتراک گذاری