حافظه LPDDR6 چین به کره جنوبی رسید؛ گام جدید Innosilicon در رقابت تراشه‌ها!

شرکت Innosilicon اعلام کرده است که یک تولیدکننده بزرگ حافظه DRAM در کره جنوبی از فناوری LPDDR6 Memory IP این شرکت استفاده خواهد کرد. این شرکت هم‌زمان مجموعه‌ای گسترده از فناوری‌های حافظه و کنترلرهای جدید شامل GDDR7، HBM4، LPDDR6، DDR5 MRDIMM و PCIe 6.0 را معرفی کرده است. تا انتهای خبر با ویکوگیم همراه باشید.

ورود فناوری LPDDR6 اینوسیلیکون به زنجیره تأمین حافظه کره جنوبی

اوایل سال جاری میلادی، اینوسیلیکون اعلام کرده بود که IP کنترلر حافظه LPDDR6/5X خود را به نخستین مشتریان تحویل داده است. اکنون این شرکت در یک کنفرانس در شانگهای چین تأیید کرده که یکی از مشتریان آن، یک شرکت بزرگ تولیدکننده حافظه DRAM در کره جنوبی است.

اگرچه نام این شرکت اعلام نشده، اما حضور شرکت‌هایی مانند Samsung در این رویداد باعث شده گمانه‌زنی‌هایی درباره استفاده یکی از بزرگ‌ترین سازندگان حافظه کره‌ای از این فناوری مطرح شود. با این حال، این موضوع هنوز به‌صورت رسمی تأیید نشده است.

تلاش Innosilicon برای عبور از محدودیت‌های حافظه در هوش مصنوعی

اینوسیلیکون در این رویداد مجموعه‌ای کامل از فناوری‌های حافظه و ذخیره‌سازی خود را معرفی کرد که شامل موارد زیر می‌شود:

• LPDDR6 / LPDDR5X

• GDDR7

• HBM4 / HBM3E

• DDR5 MRDIMM

• PCIe 6.0

• 224G SerDes

این فناوری‌ها با هدف رفع مشکل موسوم به Memory Wall یا محدودیت پهنای باند حافظه در پردازش‌های سنگین طراحی شده‌اند؛ مشکلی که در حوزه‌هایی مانند هوش مصنوعی (AI) و محاسبات با عملکرد بالا (HPC) اهمیت زیادی پیدا کرده است.

حافظه LPDDR6 اینوسیلیکون با سرعت 14.4 گیگابیت بر ثانیه

بر اساس اعلام شرکت، IP اختصاصی LPDDR6 اینوسیلیکون می‌تواند به حداکثر سرعت 14.4 گیگابیت بر ثانیه دست پیدا کند. این فناوری با استفاده از بهینه‌سازی زمان‌بندی انتقال داده و شبیه‌سازی‌های مداوم یکپارچگی سیگنال، میزان تأخیر، نویز و افت سیگنال را کاهش می‌دهد. در نتیجه، پهنای باند خواندن و نوشتن حافظه و پایداری عملکرد افزایش پیدا می‌کند. این ویژگی‌ها به‌طور ویژه برای پردازش‌های هوش مصنوعی، مدل‌های بزرگ زبانی و عملیات KV Cache در پردازش‌های طولانی طراحی شده‌اند.

ویژگی‌های فنی LPDDR6 Innosilicon

مهم‌ترین قابلیت‌های IP حافظه LPDDR6 اینوسیلیکون شامل موارد زیر است:

• سرعت ورودی/خروجی تا 14.4Gbps

• پشتیبانی از ECS خودکار و دستی

• پشتیبانی از Link ECC

• حالت عملکرد متادیتای سیستم

• قابلیت Dual / Per / All Bank Refresh

• پشتیبانی از Read-Modify-Write با Mask Write

• فناوری Dynamic Write NT-ODT

• حالت DVFSL

• حالت‌های Burst شامل x24 و x48

• حالت‌های بهره‌وری معمولی و پویا

پشتیبانی از فناوری‌های 28 تا 3 نانومتری

اینوسیلیکون اعلام کرده است که IPهای جدید آن قابلیت مقیاس‌پذیری از فناوری ساخت 28 نانومتر تا 3 نانومتر را دارند. این شرکت همچنین تأکید کرد که توسعه IP حافظه LPDDR6 با سرعت 14.4Gbps با استفاده از تجهیزات داخلی زنجیره تأمین چین انجام شد.

با این حال، صنعت تراشه چین همچنان در زمینه فناوری‌های ساخت پیشرفته با محدودیت‌هایی روبه‌رو است. چین به دلیل محدودیت‌های صادراتی، دسترسی مستقیمی به تجهیزات پیشرفته High-NA EUV ندارد. گزارش‌هایی درباره توسعه تجهیزات DUV داخلی چین منتشر شد، اما هنوز شواهد معتبر گسترده‌ای درباره دستیابی کامل به این فناوری وجود ندارد.

رقابت برای تولید انبوه LPDDR6 در سال 2026

این خبر در شرایطی منتشر شده که شرکت‌هایی مانند SK Hynix نیز قصد دارند تولید انبوه حافظه LPDDR6 را در نیمه دوم سال 2026 آغاز کنند. برخی گزارش‌ها نشان می‌دهند یکی از مشتریان LPDDR6 شرکت SK Hynix ممکن است در چین باشد؛ موضوعی که نشان می‌دهد چین همچنان برای فناوری‌های پیشرفته حافظه به شرکت‌های خارجی وابسته است. در همین حال، شرکت‌هایی مانند CXMT هنوز فاصله زیادی با رقابت در حوزه LPDDR6 و DDR6 دارند.